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MJ15024G中文资料

MJ15024G图片

MJ15024G外观图

  • 大小:73.5KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: TRANSISTOR, NPN, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:250V; Power Dissipation Pd:250W; DC Collector Current:16A; DC Current Gain hFE:60; Transistor Case Style:TO-3; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Av Current Ic:16A; Collector Emitter Voltage Vces:1.4V; Continuous Collector Current Ic Max:16A; Current Ic Continuous a Max:16A; Current Ic hFE:8A; Device Marking:MJ15024G; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:4MHz; Gain Bandwidth ft Typ:4MHz; Hfe Min:15; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-3; Power Dissipation Pd:250W; Power Dissipati...
  • 标准包装:100
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):16A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):250V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):4V @ 3.2A,16A
  • 电流 - 集电极截止(最大):500µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):15 @ 8A,4V
  • 功率 - 最大:250W
  • 频率 - 转换:4MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-204AA,TO-3
  • 供应商设备封装:TO-3
  • 包装:托盘
  • 其它名称:MJ15024GOS

MJ15024G供应商

更新时间:2023-01-03 08:47:21
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